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同時,美光、力成位於西安DRAM封測廠也受到電力閃斷影響,但預期影響幅度相對較小。

據了解,爆炸的變電廠雖未直接供電予三星的12吋NAND Flash廠,但爆炸點離三星NAND Fl

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ash晶圓廠、美光及力成的DRAM封測廠的距離不遠,確實曾一度

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出現電力閃斷、電壓下降問題,雖然之後已恢復供電,但半導體設備十分敏感,爆炸當時造成電力閃斷及電壓不穩,將對設備造成參數跳機問題,也會影響到記憶體供應,推估此次將影響該廠數千片晶圓產出,三星已著手進行生產線檢查。

工商時報【涂志豪╱

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台北報導】

大陸西安市南郊長安區變電站上周六(18日)凌晨疑似因故障發生大爆炸起火意外,雖然該處變電廠並未直接供電給三

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星位於西安的NAND Flash廠,但爆炸當時造成電力閃斷及電壓不穩,仍對三星晶圓廠設備造成當機問

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題,預期影響該廠數千片的晶圓產出。

業界認為,西安變電廠爆炸事件,雖然未立即造成DRAM及NAND Flash供給吃緊,但因為記憶體價格對於反應市場供需及消息變化十分靈敏,所以有機會提前見到漲價效應,尤其三星西安廠導致晶圓損失,將對其固態硬碟(SSD)供貨造成影響,且下半年進入NAND Flash備貨旺季,已有缺貨問題的NAND Flash價格漲幅將超乎預期。

三星西安廠是其3D NAND生產重鎮,目前生產主力是32層3D NAND,月產能約5萬片,預計今年將提升至7~10萬片,且技術上將升級投產48層3D NAND晶片。三星3D NAND幾乎沒有外賣,全數用在自有品牌SSD產品,由於今年以來SSD銷售暢旺,三星西安廠此次受影響,將對下半年SSD供給造成衝擊。

三星已將位於韓國華城Fab 16的16奈米2D NAND生產線移轉為20奈米48層3D V-NAND生產線;不過,該廠產能已被蘋果包下,因為蘋果即將推出iPhone 7將推出256GB容量版本,即採用三星20奈米48層3D V-NAND晶片。業界預期,三星為了維持SSD市占率及供給量,勢必要調撥韓國廠的產能支援

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,加快華城Fab 17的產能轉換,這將會導致2D NAND供給量減少,自然導致NAND Flash市場缺貨問題更為嚴重。

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